2012年5月8日，推進利用TSV(矽通孔)的三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布（bù），軟件行業（yè）巨頭美國微軟（ruǎn）已加（jiā）盟（méng）該協會。

　　HMC是采用三維構造，在邏輯芯片上沿（yán）垂直方向（xiàng）疊加多個（gè）DRAM芯片，然後通過TSV連接布線的技術。HMC的最大特（tè）征（zhēng）是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的（de）原因（yīn）有二（èr），一是芯片間的布線距離能（néng）夠從半導體封裝平攤在主（zhǔ）板上的傳統方法的“cm”單位大幅縮小到數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數萬個TSV，實現芯片間的多點連接。

　　微軟之所以加入HMCC，是因為正在考慮如何對應很可能（néng）會成為個人電腦和計算機性能提升的“內存瓶頸”問題。內存瓶頸是指隨著微處理（lǐ）器的性能通過多核化不斷提升（shēng），現行架構的DRAM的性能將無法滿足處（chù）理（lǐ）器（qì）的需要。如果不解決這個問題，就會（huì）發生即使購（gòu）買計算機新產品，實際性能也得不到相應提升的情況。與（yǔ）之相比，如果把基於TSV的HMC應（yīng）用於計算機（jī）的主存儲器，數據傳（chuán）輸速度就能夠提（tí）高到現行DRAM的（de）約15倍，因此，不隻是微軟，微處理器巨頭美國英特爾等（děng）公司也在積極研究采用HMC。

　　其實，計劃采用TSV的並（bìng）不隻是HMC等DRAM產品。按照半導（dǎo）體廠商的計（jì）劃，在今後數年間，從（cóng）承擔電子設備輸入功能的CMOS傳感器到負責運算的FPGA和多核處理器，以及掌管產品存儲的DRAM和NAND閃存都將相繼導入（rù）TSV。如果計劃如期進行，TSV將擔負起輸（shū）入、運算、存儲等電子設備的主（zhǔ）要功能。